IMECAS acerca a China a 3 nm: integra GAA con DUV
¿Qué acaba de anunciar IMECAS sobre transistores GAA? El Instituto de Microelectrónica de la Academia China de Ciencias (IMECAS) habría conseguido integrar experimentalmente transistores de tipo GAA (Gate-All-Around, «puerta envolvente») con nanosheets apiladas usando litografía de ultravioleta profundo (UVP o DUV), según DigiTimes. TrendForce, citando a Wccftech, añade que los transistores obtenidos alcanzan relaciones on/off …









